BSC060N10NS3G 英飞凌
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BSC060N10NS3G 英飞凌
2020-11-19 16:42:45

BSC060N10NS3G 英飞凌原装现货

规格

产品属性属性值
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:5.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:68 nC
***小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
通道模式:Enhancement
商标名:OptiMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:1.27 mm
长度:5.9 mm
系列:OptiMOS 3
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:5.15 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - ***小值:43 S
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:16 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:45 ns
典型接通延迟时间:20 ns
零件号别名:BSC6N1NS3GXT SP000446584 BSC060N10NS3GATMA1
单位重量:100 mg



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